شکل۴-۳ ایجاد دو اسلات Uشکل در صفحه زمین آنتن میکرواستریپی اولیه ارائه شده…………………………..۷۱
شکل۴-۴ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی به ازای مقادیر مختلف H_S و ۹٫۵D_S= میلی متر …………………………………………………………………………………………………….۷۲

( اینجا فقط تکه ای از متن پایان نامه درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت feko.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. )

شکل۴-۵ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی به ازای مقادیر مختلف D_Sو ۲۵/۹= H_S میلی متر……………………………………………………………………………………………………۷۳
شکل۴-۶ نمودار VSWR برای مکان­های مختلف دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی………۷۳
شکل۴-۷ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی براساس پارامترهای جدول ۴-۱………………………………………………………………………………………………………………………………….۷۴
شکل۴-۸ نمایش توزیع جریانهای سطحی برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ مستطیلی براساس پارامترهای جدول ۴-۱ در فرکانس­های الف: ۶/۱گیگاهرتز، ب: ۳۲/۴گیگاهرتز و ج: ۱/۶ گیگاهرتز………۷۵
شکل۴-۹ نحوه تغییر شکل پچ تشعشعی از حالت مستطیلی به حالت حلقوی…………………………………………۷۵
شکل۴-۱۰ نمودار VSWR برای آنتن با دو اسلات U شکل در صفحه زمین و پچ حلقوی براساس پارامترهای جدول۴-۱……………………………………………………………………………………………………………………………………۷۶
د
شکل۴-۱۱ اضافه کردن استاب T شکل به پچ تشعشعی حلقوی…………………………………………………………..۷۶
شکل۴-۱۲ نمودار VSWR برای آنتن برای تغییزات L_H………………………………………………………………….77
شکل۴-۱۳ نمودار VSWR برای آنتن برای تغیییرات d_x………………………………………………………………….77
شکل۴-۱۴ نمودار VSWR برای تغییرات مکان بازوهای عمودی در سمت چپ اسلات­های U شکل در صفحه زمین…………………………………………………………………………………………………………………………………………..۷۸
شکل۴-۱۵ آنتن شبه مونوپول میکرواستریپی با دو باند فرکانسی وسیع…………………………………………………۷۸
شکل۴-۱۶ نمودار VSWR برای آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانسی وسیع. …………………..۷۹
شکل۴-۱۷ توزیع جریان­های سطحی برای آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانس وسیع در سه فرکانس(الف) ۵/۳ گیگاهرتز، (ب) ۲۵/۵ گیگاهرتز و (ج) ۸۵/۵ گیگاهرتز………………………………………………….۷۹
شکل۴-۱۸ نمونه ساخته شده آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانسی وسیع. ……………………….۸۰
شکل۴-۱۹ نمودار VSWR بدست آمده از نتایج شبیه سازی و اندازه گیری آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ با دو باند فرکانس وسیع…………………………………………………………………………………………………………………….۸۰
شکل۴-۲۰ پترن­های تشعشعی صفحهH- وصفحه-E آنتن ارائه شده در شکل۴-۱۱در الف) ۵/۲، ب) ۲۵/۵، گیگا­­هرتز. ……………………………………………………………………………………………………………………………………۸۱
شکل۴-۲۱ اضافه شدن اسلات باریک در روی صفخه زمین جهت کنترل پاسخ فرکانسی. …………………………۸۲
شکل۴-۲۲ نمودار VSWR برای آنتن براساس تغییرات پارامتر P_S…………………………………………………….82
شکل۴-۲۳ نتایج بدست آمده برای مکان­های مختلف P_S……………………………………………………………………83
شکل۴-۲۴ نمودار VSWR برای آنتن به ازای ۸= P_S میلی­متر………………………………………………………….۸۳
شکل۴-۲۵ نمونه ساخته شده آنتن شبه مونوپول میکرواستریپ تک بانده وسیع و قابل کنترل توسط اسلات (switch در شکل). ………………………………………………………………………………………………………………………۸۴
شکل۴-۲۶ پترن­های تشعشعی شبیه ­سازی شده صفحهH- برای سه آنتن (پچ ساده- تک بانده وسیع- دو باند وسیع) ارائه شده در فرکانس­­های الف) ۷۵/۳، ب) ۸۵/۵، گیگا هرتز. ……………………………………………………….۸۴
ذ
فهرست جدول­ها
جدول۱-۱ مقایسه ی مشخصات سه نمونه از آنتنهای مایکرواستریپ………………………………………………………۷
جدول۱-۲ کاربردهای آنتن­های میکرواستریپ……………………………………………………………………………………۷
جدول۲-۱ مقایسه خواص تشعشعی اسلات و پچ…………………………………………………………………………….. ۳۳
جدول۲- ۲ تعیین عرض خط تغذیه میکرواستریپی با زیر لایه هایی از جنس و ضخامت مختلف………………………۴۲
جدول۴-۱ پارامترهای ثابت در ساختار آنتن تک قطبی ارائه شده. ……………………………………………………….۷۰
جدول۴-۲ مقادیر بهینه پارامترهای موثر در طراحی اسلات­های U شکل در صفحه زمین………………………..۷۴
جدول۴-۳ بازده تشعشعی و مازیمم گین قابل قبول بدست آمده از شبیه سازی آنتن اول ارائه شده.…………..۸۱
جدول۴-۴ بازده تشعشعی و ماکزیمم گین قابل قبول بدست آمده از شبیه سازی آنتن دوم ارائه شده………….۸۳
ر
فصل اول
آنتن­های میکرواستریپ، تعریف و ساختار آن
۱-۱ تعریف آنتن­ میکرواستریپ
مفهوم تشعشع کننده­ های میکرواستریپ برای اولین بار توسط Deschamps در اواخر سال ۱۹۵۳ مطرح و اولین آنتن عملی درسال۱۹۷۰ساخته شد. از آن زمان به بعد تحقیقات وسیعی روی آنتن­های میکرواستریپ مختلف انجام شد. یک آنتن میکرواستریپ در ساده ترین نوع پیکربندی، همانطور که در شکل۱-۱ نشان داده شده است، شامل یک عایق با ثابت دی الکتریک کمتر از ۱۰ (  ) است که در یک طرف آن، صفحه زمین و در طرف دیگر آن، صفحه تشعشعی قرارگرفته است. جنس صفحه هادی تشعشعی عموما از طلا و مس می باشد. این هادی شکل های متفاوتی می ­تواند داشته باشد ولی معمولا شکل­هایی مورد استفاده قرار می­گیرند که انتظار می­رود عملکرد مناسبی داشته باشند و بتوان آن­ها را به راحتی مورد تحلیل قرار داد. انواع مختلف عایق­ها، ثابت دی الکتریک و تانژانت تلفات متفاوتی دارند. به طور ایده­ال در مبحث آنتن، ثابت دی الکتریک عایق برای افزایش میدان­های پراکندگی و تشعشع کننده باید کمتر از ۵/۲ باشد [۱].
شکل ۱-۱: پیکربندی آنتن میکرو استریپ ساده[۱[.
۱-۲ مزایا و معایب آنتن­های میکرواستریپ
آنتن­های میکرواستریپ مزایای متعددی نسبت به آنتن­های مرسوم مایکروویو دارند که باعث به کارگیری آن­ها در رنج وسیع فرکانسی از ۱۰۰مگاهرتز تا ۱۰۰گیگا هرتز شده است که بعضی از این مزایا عبارتند از :
۱) داشتن وزن و حجم کم و ساختار صفحه ای با ضخامت کم
۱
۲) امکان ساخت بصورت خیلی ارزان برای تولید انبوه
۳) سادگی ساخت یکپارچه با MIC ها روی یک زیرلایه
۴) امکان داشتن پلاریزاسیون خطی و یا دایروی با روش­های تغذیه آسان
۵) امکان طراحی برای حالت دو فرکانسی و دو پلاریزاسیون
۶) خطوط تغذیه و شبکه های تطبیق بطور همزمان با ساختار آنتن ساخته می­ شود.
آنتن­های میکرو استریپ با وجود داشتن این مزایا دارای معایبی بصورت زیر هستند:
۱) پهنای باند باریک و مسائل مرتبط با خطای ساخت
۲) بهره کمتر